一、晶圆级芯片是什么？
，Cerebras发布其第一代晶圆级芯片WSE（Wafer Scale Engine），即在一整片12寸晶圆上，只制造一颗芯片，这无疑是一颗比其他所有量产芯片规模都要大的芯片：芯片面积达到46225平方毫米，相比此前号称地球上最大面积的NVIDIA Tesla V100芯片的面积大56倍；芯片内部包含了1.2万亿个晶体管，芯片上设计了40万个计算核心，片上内存达到18GB，可以实现9PB的内存读写带宽，100PB的数据传输带宽，芯片功耗达到15KW。
二、晶圆芯片直径？
目前市面上出现的晶圆直径主要是150mm、200mm、300mm，分别对应的是6英寸、8英寸、12英寸的晶圆，主流是300mm的，也就是12英寸的晶圆，占了所有晶圆的80%左右。
三、什么是晶圆级芯片尺寸封装？
晶圆级芯片封装技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术，封装后的芯片尺寸与裸片一致。
WL-CSP 与传统的封装方式不同在于，传统的晶片封装是先切割再封测，而封装后约比原晶片尺寸增加20%；而WL-CSP则是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才划线分割，因此，封装后的体积与IC裸芯片尺寸几乎相同，能大幅降低封装后的IC 尺寸.
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四、晶圆和芯片区别？
芯片是晶圆切割完成的半成品。
芯片是由N多个半导体器件组成 半导体一般有二极管、三极管、场效应管、小功率电阻、电感和电容等等。
硅和锗是常用的半导体材料，他们的特性及材质是容易大量并且成本低廉使用于上述技术的材料。一个硅片中就是大量的半导体器件组成，当然功能就是按需要将半导体组成电路而存在于硅片内，封装后就是IC了。
晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆
五、晶圆级封装与芯片级封装有区别吗？
晶圆级封装与芯片级封装有一定的区别。
晶圆级封装是指在制造芯片的过程中，对芯片进行的一系列封装工艺，包括套刻、沉积、蒸发、光刻、切片等，目的是将芯片上集成的各种器件连接起来形成完整的电路系统。
芯片级封装是指将晶圆上制造出来的芯片进行外部封装，以便连接外界电路和使用。芯片级封装包括基板连接、引脚焊接、盖板封装等步骤。
简单来说，晶圆级封装是对芯片内部的器件进行封装，而芯片级封装则是对芯片外部进行封装，便于与外界电路连接。
六、芯片有多少层晶圆？
芯片制造很复杂。分三大步，该计，制造，封装。多少层晶园由设计决定。
七、晶圆和芯片的区别？
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆,
芯片指内含集成电路的硅片,体积很小,常常是计算机或其他电子设备的一部分。
八、晶圆芯片属于几线品牌？
晶圆芯片属于一线品牌。
中芯国际是全球领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆技术最先进、规模最大、配套服务最完善、跨国经营的专业晶圆代工企业，主要为客户提供0.35微米至14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套服务。
九、cob是不是晶圆芯片？
cob属于晶圆芯片，其制程属于晶圆封装等级，任何小小的微粒沾污于焊接点都会造成严重的不良。
COB是直接将裸晶圆(die)黏贴在电路板(PCB)上，并将导线/焊线(wire)直接焊接(Bonding)在PCB的镀金线路上，再透过封胶的技术，有效的将IC制造过程中的封装步骤转移到电路板上直接组装。
十、碳基芯片能取代晶圆芯片吗？
碳基晶圆芯片材料完全可以替代硅基晶圆芯片，无需光刻机。碳基芯片的性能是 硅基芯片性能的十倍，中国碳基芯片将替代美国硅基芯片。
根据国内资料显示，用碳纳米管做的晶体管，电子迁移率可达到硅晶体管的1000倍，也就是说碳材料里面电子的群众基础更好；其次，碳纳米管中的电子自由程特别长，即电子的活动更自由，不容易摩擦发热。
理论上来说，碳晶体管的极限运行速度是硅晶体管的5-10倍，而功耗方面，却只是后者的十分之一。也就说，在更加宽松的工艺条件下，碳晶体管就能取得与硅晶体管同等水平的性能，这也是所谓“碳基芯片”出现的原因。
